Home > STJ > Vol. 24 (2020) > Iss. 1
Scientific-technical journal
Article Title
ELEKTRIC CONDUCTIVITY AND STRAIN SENSITIVITY OF SEMICONDUCTOR POLYCRYSTALLINE THIN FILMS
Abstract
A theoretical calculation of the current-voltage characteristic and the strain sensitivity coefficient of thin polycrystalline films based on the tunnel and Schottky mechanisms of current flow are compared with the results of known experimental works.
First Page
9
Last Page
20
References
[1]. Ablullaev E.A., Yuldashev N.Kh. Effect pezosoprotivleniya v xalkogenidax svintsa i vismuta. Ch.2 - Fergana, «Теkhniка», 2008. 116 s. (In Russ.) [2]. Doshchanov K.M., Shamirzayev S. X. O visokoy tenzochuvstvitelnosti polikristallicheskix plenok // FTP. 1980. T. 14. V. 1. S. 2143. (In Russ.) [3]. Ataqulov SH. B., Zaynolobidinova S. M., Nabiyev G. A., Nabiyev M. B., Yuldashev A. A. Teoriya yavleniy perenosa v polikristallicheskix plenkax xalkogenidov svinsa. Podvijnost. Nevirojdennaya statistika // FTP. 2013, tom 47, vip. 7, 869. (In Russ.) [4]. Gulyamov G., Gulyamov A. G., Majidova. Tenzorezistivniy effect v sisteme potensialnix baryerov v poluprovodnikovix plenkax // FIP. 2013. T. 11. № 2, 243. (In Russ.) [5]. Arxipov A. N., Jdan A. G., Sandomirskiy V. B. Tenzochuvstvitelnost poluprovodnikovix plenok soderjashiye mejgranulinie bareri. FTP, 1974. T. 8(5). S. (In Russ) [6]. Fronkomb M.X., Djonson Dj.E. Polucheniye i svoystva poluprovodnikovix plenok. V kn.: Fizika tonkix plenok, 1972, M.:, Mir,t.5. S.140-166. (In Russ.). [7]. Schewchun J. and Temple V.A.K. Theoretical tunneling current characтeristics of the SIS diode // J.Appl. Phys., 1972, vol.43, №12. Р. 5051. [8]. Elinson M.I., Stepanov G.V., Petrov P.I., Pokalyakin V. I. Osnobniye mexanizmi perenosa nositeley zaryada v plenochnix sistemax. V.cb.: Voprosi pleochnoy elektroniki, M., 1966, s. 5-7 (In Russ.). [9]. Pikus G. E. Osnovi teorii poluprovodnikovix priborov. –M.: Nauka. 1965. 448 s. (In Russ.). [10]. Bir G.L., Pikus G.E. Simmetriya i deformatsionniye effekti v poluprovodnikax. M.: Nauka, 1972. 584 s (In Russ.). [1]. Ablullaev E.A., Yuldashev N.Kh. Effect pezosoprotivleniya v xalkogenidax svintsa i vismuta. Ch.2 - Fergana, «Теkhniка», 2008. 116 s. (In Russ.) [2]. Doshchanov K.M., Shamirzayev S. X. O visokoy tenzochuvstvitelnosti polikristallicheskix plenok // FTP. 1980. T. 14. V. 1. S. 2143. (In Russ.) [3]. Ataqulov SH. B., Zaynolobidinova S. M., Nabiyev G. A., Nabiyev M. B., Yuldashev A. A. Teoriya yavleniy perenosa v polikristallicheskix plenkax xalkogenidov svinsa. Podvijnost. Nevirojdennaya statistika // FTP. 2013, tom 47, vip. 7, 869. (In Russ.) [4]. Gulyamov G., Gulyamov A. G., Majidova. Tenzorezistivniy effect v sisteme potensialnix baryerov v poluprovodnikovix plenkax // FIP. 2013. T. 11. № 2, 243. (In Russ.) [5]. Arxipov A. N., Jdan A. G., Sandomirskiy V. B. Tenzochuvstvitelnost poluprovodnikovix plenok soderjashiye mejgranulinie bareri. FTP, 1974. T. 8(5). S. (In Russ) [6]. Fronkomb M.X., Djonson Dj.E. Polucheniye i svoystva poluprovodnikovix plenok. V kn.: Fizika tonkix plenok, 1972, M.:, Mir,t.5. S.140-166. (In Russ.). [7]. Schewchun J. and Temple V.A.K. Theoretical tunneling current characтeristics of the SIS diode // J.Appl. Phys., 1972, vol.43, №12. Р. 5051. [8]. Elinson M.I., Stepanov G.V., Petrov P.I., Pokalyakin V. I. Osnobniye mexanizmi perenosa nositeley zaryada v plenochnix sistemax. V.cb.: Voprosi pleochnoy elektroniki, M., 1966, s. 5-7 (In Russ.). [9]. Pikus G. E. Osnovi teorii poluprovodnikovix priborov. –M.: Nauka. 1965. 448 s. (In Russ.). [10]. Bir G.L., Pikus G.E. Simmetriya i deformatsionniye effekti v poluprovodnikax. M.: Nauka, 1972. 584 s (In Russ.). [1]. Ablullaev E.A., Yuldashev N.Kh. Effect pezosoprotivleniya v xalkogenidax svintsa i vismuta. Ch.2 - Fergana, «Теkhniка», 2008. 116 s. (In Russ.) [2]. Doshchanov K.M., Shamirzayev S. X. O visokoy tenzochuvstvitelnosti polikristallicheskix plenok // FTP. 1980. T. 14. V. 1. S. 2143. (In Russ.) [3]. Ataqulov SH. B., Zaynolobidinova S. M., Nabiyev G. A., Nabiyev M. B., Yuldashev A. A. Teoriya yavleniy perenosa v polikristallicheskix plenkax xalkogenidov svinsa. Podvijnost. Nevirojdennaya statistika // FTP. 2013, tom 47, vip. 7, 869. (In Russ.) [4]. Gulyamov G., Gulyamov A. G., Majidova. Tenzorezistivniy effect v sisteme potensialnix baryerov v poluprovodnikovix plenkax // FIP. 2013. T. 11. № 2, 243. (In Russ.) [5]. Arxipov A. N., Jdan A. G., Sandomirskiy V. B. Tenzochuvstvitelnost poluprovodnikovix plenok soderjashiye mejgranulinie bareri. FTP, 1974. T. 8(5). S. (In Russ) [6]. Fronkomb M.X., Djonson Dj.E. Polucheniye i svoystva poluprovodnikovix plenok. V kn.: Fizika tonkix plenok, 1972, M.:, Mir,t.5. S.140-166. (In Russ.). [7]. Schewchun J. and Temple V.A.K. Theoretical tunneling current characтeristics of the SIS diode // J.Appl. Phys., 1972, vol.43, №12. Р. 5051. [8]. Elinson M.I., Stepanov G.V., Petrov P.I., Pokalyakin V. I. Osnobniye mexanizmi perenosa nositeley zaryada v plenochnix sistemax. V.cb.: Voprosi pleochnoy elektroniki, M., 1966, s. 5-7 (In Russ.). [9]. Pikus G. E. Osnovi teorii poluprovodnikovix priborov. –M.: Nauka. 1965. 448 s. (In Russ.). [10]. Bir G.L., Pikus G.E. Simmetriya i deformatsionniye effekti v poluprovodnikax. M.: Nauka, 1972. 584 s (In Russ.).
Recommended Citation
Sulaymonov, X М. and Yuldashev, N. Kh.
(2020)
"ELEKTRIC CONDUCTIVITY AND STRAIN SENSITIVITY OF SEMICONDUCTOR POLYCRYSTALLINE THIN FILMS,"
Scientific-technical journal: Vol. 24
:
Iss.
1
, Article 1.
Available at:
https://uzjournals.edu.uz/ferpi/vol24/iss1/1